FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
♠ Product Description
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
| Polaridad del transistor: | N-Channel |
| Número de canales: | 1 Channel |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2.2 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 65 mOhms |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 400 mV |
| Qg - Carga de puerta: | 9 nC |
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55 C |
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C |
| Dp - Disipación de potencia : | 500 mW |
| Modo canal: | Enhancement |
| Empaquetado: | Reel |
| Empaquetado: | Cut Tape |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Configuración: | Single |
| Tiempo de caída: | 10 ns |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 13 S |
| Altura: | 1.12 mm |
| Longitud: | 2.9 mm |
| Producto: | MOSFET Small Signal |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 10 ns |
| Serie: | FDN337N |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo de transistor: | 1 N-Channel |
| Tipo: | FET |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 17 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 4 ns |
| Ancho: | 1.4 mm |
| Alias de las piezas n.º: | FDN337N_NL |
| Peso de la unidad: | 0.001270 oz |
♠ Transistor - N-Channel, Logic Level, Enhancement Mode Field Effect
SUPERSOT−3 N−Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using onsemi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on−state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards, and other battery powered circuits where fast switching, and low in−line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
• 2.2 A, 30 V
♦ RDS(on) = 0.065 @ VGS = 4.5 V
♦ RDS(on) = 0.082 @ VGS = 2.5 V
• Industry Standard Outline SOT−23 Surface Mount Package Using Proprietary SUPERSOT−3 Design for Superior Thermal and Electrical Capabilities
• High Density Cell Design for Extremely Low RDS(on)
• Exceptional on−Resistance and Maximum DC Current Capability
• This Device is Pb−Free and Halogen Free
