FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ Product Description
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
| Polaridad del transistor: | P-Channel |
| Número de canales: | 1 Channel |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 63 mOhms |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 3 V |
| Qg - Carga de puerta: | 9 nC |
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55 C |
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C |
| Dp - Disipación de potencia : | 500 mW |
| Modo canal: | Enhancement |
| Nombre comercial: | PowerTrench |
| Empaquetado: | Reel |
| Empaquetado: | Cut Tape |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Configuración: | Single |
| Tiempo de caída: | 13 ns |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 5 S |
| Altura: | 1.12 mm |
| Longitud: | 2.9 mm |
| Producto: | MOSFET Small Signal |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 13 ns |
| Serie: | FDN360P |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo de transistor: | 1 P-Channel |
| Tipo: | MOSFET |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 11 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 6 ns |
| Ancho: | 1.4 mm |
| Alias de las piezas n.º: | FDN360P_NL |
| Peso de la unidad: | 0.001058 oz |
♠ Single P-Channel, PowerTrenchÒ MOSFET
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using ON Semiconductor advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
· –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –10 V RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4.5 V
· Low gate charge (6.2 nC typical) · High performance trench technology for extremely low RDS(ON) .
· High power version of industry Standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability.
· These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
